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一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积使用的基片台

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本发明提供了一种利用热管理与磁场导引等离子结合的基片台，通过在基片台中隐埋不同导热率的材料进行热管理设计达到平衡等离子不同区域的温度，减少高温等离子体轰击衬底时形成的衬底温度水平方面的温度梯度。另外就是在基片台中安装磁铁，通过磁场对等离子导引，以及隐埋软磁材料改变等离子的形状分布，进一步提高衬底温度有效区的大小以及等离子的均匀性。本发明的优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积的有效面积，以及改善等离子的密度分布，装置简单，便于实施。

著录项

公开/公告号CN113025998A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-25

原文格式PDF
申请/专利权人广东众元半导体科技有限公司;
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申请/专利号CN201911341286.9
发明设计人刘胜;甘志银;汪启军;沈桥;
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申请日2019-12-24
分类号C23C16/458(20060101);C23C16/27(20060101);C23C16/511(20060101);
代理机构
代理人
地址 528251 广东省佛山市南海区平洲南港大街5号1楼
入库时间 2023-06-19 11:37:30

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法律状态公告日

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2023-09-01

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发明专利权授予

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