光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片上，形成符合设计要求的半导体产品。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终导致在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(Optical ProximityCorrection，OPC)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻图形相对应光掩模图形会发生光学邻近效应，但由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法，提高光学邻近修正的精准度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正模型的建立方法，提供晶圆版图图形和初始测试图形；获取所述晶圆版图图形的光强参数信息；获取所述初始测试图形的光强参数信息；比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息，并判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息，其中，当所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形作为测试图形，当所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形；根据所述测试图形，建立与所述晶圆版图图形相对应的光学邻近修正模型。

可选的，获取所述晶圆版图图形的光强参数信息、以及获取所述初始测试图形的光强参数信息之前，还包括：提供初始光学邻近修正模型；获取所述晶圆版图图形的光强参数信息的步骤包括：利用所述初始光学邻近修正模型，对所述晶圆版图图形进行模拟曝光；对所述晶圆版图图形进行模拟曝光后，绘制所述晶圆版图图形的空间光强分布曲线；从所述晶圆版图图形的空间光强分布曲线中提取所述晶圆版图图形的光强参数信息；获取所述初始测试图形的光强参数信息的步骤包括：利用所述初始光学邻近修正模型，对所述初始测试图形进行模拟曝光；对所述初始测试图形进行模拟曝光后，绘制所述初始测试图形的空间光强分布曲线；从所述初始测试图形的空间光强分布曲线中提取所述初始测试图形的光强参数信息。

可选的，所述空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。

可选的，所述光强参数信息包括多个空间光强参数；比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息之前，还包括：选取所述晶圆版图图形中多个空间光强参数中的至少两个，建立第一坐标系；选取所述初始测试图形中多个空间光强参数中的至少两个，建立第二坐标系；利用所述第一坐标系和第二坐标系，比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息。

可选的，所述光强参数信息包括三个空间光强参数；所述第一坐标系和第二坐标系均为三维空间坐标系；比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息的步骤包括：将所述第一坐标系和第二坐标系投影至同一二维平面坐标系中；判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息的步骤包括：在同一所述二维平面坐标系中，若所述晶圆版图图形的空间光强参数所在的区域范围位于所述初始测试图形的空间光强参数所在的区域范围内，则所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息；若所述晶圆版图图形的空间光强参数所在的区域范围超出所述初始测试图形的空间光强参数所在的区域范围，则所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息。

可选的，所述三维空间坐标系包括相互垂直的X轴、Y轴和Z轴；将所述第一坐标系和第二坐标系投影至同一二维平面坐标系中的步骤包括：依次将所述第一坐标系和第二坐标系投影至X-Y平面坐标系、X-Z平面坐标系和Y-Z平面坐标系中。

可选的，所述光强参数信息的空间光强参数包括光强最大值、光强最小值和归一化图像对数斜率中的一种或多种。

可选的，获取所述晶圆版图图形的光强参数信息之前，还包括：对所述晶圆版图图形进行图形分组，获得多组同型图形，所述同型图形的光强参数信息相同；获取所述晶圆版图图形的光强参数信息的步骤中，获取每一组同型图形的光强参数信息。

可选的，所述初始光学邻近修正模型包括光学模型和光刻胶模型，所述光刻胶模型包括光刻胶曝光参考阈值。

相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正方法，包括：提供利用前述方法得到的光学邻近修正模型；提供晶圆版图图形；根据所述光学邻近修正模型对所述晶圆版图图形进行光学邻近校正。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例在建立与晶圆版图图形相对应的光学临近修正模型之前，先获取晶圆版图图形和初始测试图形的光强参数信息，并比较晶圆版图图形的光强参数信息和初始测试图形的光强参数信息，以判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息，其中，当所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形作为测试图形，当所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形，因此，根据所述测试图形建立光学邻近修正模型后，该光学邻近修正模型中的测试图形能够更好地表征晶圆版图图形，根据所述光学邻近修正模型进行光学临近修正时，光学临近修正的精准度较高，相应的，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的误差较小。

附图说明

图1是采用一种光学临近修正模型的建立方法所建立的光学临近修正模型进行光学邻近修正后，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的线宽误差示意图；

图2是本发明光学邻近修正模型的建立方法一实施例的流程图；

图3是图2所示实施例中任意一个晶圆版图图形的空间光强分布曲线的示意图；

图4是图2所示实施例中晶圆版图图形的光强参数信息对应的三维空间坐标系；

图5是图2所示实施例中初始测试图形的光强参数信息对应的三维空间坐标系；

图6是图2所示实施例中比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息时的示意图；

图7是采用图2所示方法建立的光学临近修正模型进行光学邻近修正后，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的线宽误差示意图。

具体实施方式

光学邻近修正模型的建立需要能够用于表征晶圆版图图形的测试图形，例如表征晶圆版图图形的形状、尺寸和图形的环境等，建立光学邻近修正模型时，针对不同的线宽(CD)和间距(pitch)都要选足够多的测试图形，从而使得对具有不同线宽和间距的晶圆版图图形的光学邻近修正精准度均较高。

在建立光学邻近修正模型时，通常利用初始光学邻近模型对测试图形进行模拟曝光，获得该测试图形的模拟线宽，同时，将测试图形利用光刻工艺转移至物理晶圆上，并收集该测试图形对应于物理晶圆上的实际线宽，随后根据模拟线宽和实际线宽的线宽误差，以优化初始光学邻近模型，获得最终的光学邻近模型。

合格的光学邻近模型，不仅应该使得测试图形对应的线宽误差较小，而且，还应使得晶圆版图图形的线宽误差较小。

通过目前的光学邻近修正模型的建立方法建立光学邻近修正模型后，虽然测试图形对应的线宽误差较小，但是，当将该光学邻近修正模型运用于晶圆版图图形中时，晶圆版图图形的线宽误差仍较大。

图1示出了采用目前光学临近修正模型的建立方法所建立的光学临近修正模型进行光学邻近修正后，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的线宽误差示意图。如图1所示，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的线宽误差高达8nm左右，因此，光学邻近修正的精准度较低。

目前，一种方式是添加更多的测试图形，以满足对图形的类型、线宽和间距的不同需求，试图通过增加数据池来提高所建成的光学邻近修正模型用于进行光学临近修正时的精准度。但是，即使采用数量更多的测试图形来构建光学邻近修正模型，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的线宽误差仍较高。而且，增加数据池，相应会导致数据收集时间、线宽测量设备的数量、建模硬件或建模软件的需求量增大，工艺可行性较低。

为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正模型的建立方法，提供晶圆版图图形和初始测试图形；获取所述晶圆版图图形的光强参数信息；获取所述初始测试图形的光强参数信息；比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息，并判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息，其中，当所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，所述初始测试图形用于作为测试图形，当所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形；根据所述测试图形，建立与所述晶圆版图图形相对应的光学邻近修正模型。

本发明根据所述测试图形建立光学邻近修正模型后，该光学邻近修正模型中的测试图形能够更好地表征晶圆版图图形，根据所述光学邻近修正模型进行光学临近修正时，光学临近修正的精准度较高，相应的，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的误差较小。

参考图2，示出了本发明光学邻近修正模型的建立方法一实施例的流程图。本实施例所述光学邻近修正模型的建立方法包括以下基本步骤：

步骤S1：提供晶圆版图图形和初始测试图形；

步骤S2：获取所述晶圆版图图形的光强参数信息；

步骤S3：获取所述初始测试图形的光强参数信息；

步骤S4：比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息；

步骤S5：判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息；

步骤S6：当所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，所述初始测试图形用于作为测试图形；

步骤S7：当所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形；

步骤S8：根据所述测试图形，建立与所述晶圆版图图形相对应的光学邻近修正模型。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

参考图2，执行步骤S1，提供晶圆版图图形和初始测试图形。

所述晶圆版图图形为预先设定的需要在光刻掩膜版中生成的实际设计芯片中的图形，所述晶圆版图图形用于制作实际设计芯片的光刻掩膜版。从而利用所述光刻掩膜版，将晶圆版图图形转移至生产所用的物理晶圆上。

其中，物理晶圆包括若干呈阵列排列的芯片区域，相邻芯片区域之间具有切割道。在本实施例中，所述晶圆版图图形用于曝光形成单个芯片区域的光刻胶图形。

所述晶圆版图图形存储于原始版图文件中。其中，原始版图文件是指利用EDA工具设计形成的包含设计图形的版图文件。通常地，原始版图文件是通过了DRC(design rulecheck)验证的版图文件。

作为一种示例，所述原始版图的文件格式为GDS格式。在其他实施例中，所述原始版图的文件格式还可以为OASIS等其他格式。

本实施例中，所述晶圆版图图形为待处理图形，在建立所述晶圆版图图形对应的光学临近修正模型后，需要对所述晶圆版图图形进行光学临近修正。

本实施例中，所述晶圆版图图形的数量为多个，因此，所述光学邻近修正模型的建立方法还包括：对所述晶圆版图图形进行图形分组，获得多组同型图形，所述同型图形的光强参数信息相同。

后续还需获取所述晶圆版图图形的光强参数信息，因此，通过对所述晶圆版图图形进行图形分组，将类似的晶圆版图图形归为同一组同型图形，以减少获取光强参数信息时的数据采集量。相应的，后续获取所述晶圆版图图形的光强参数信息时，对于每一组同型图形，无需采集所述同型图形中所有晶圆版图图形的光强参数信息，从而提高建立光学邻近修正模型的效率。

具体地，通过图形分组工具对类似的晶圆版图图形进行分组。

所述初始测试图形与所述晶圆版图图形相同，或者，所述初始测试图形包含了部分晶圆版图图形，也就是说，晶圆版图图形中的至少部分图形可以在所述初始测试图形中找到与之相对应的图形。

所述初始测试图形用于为形成测试图形做准备。

其中，所述测试图形用于表征晶圆版图图形，且作为当前制造工艺水平或节点下所用到的所有类型的实际设计芯片的集合。后续利用所述测试图形建立光学临近修正模型，且通过测试图形，有利于使后续建立的光学临近修正模型具有更广泛的适应性，以便于适应几乎所有实际设计芯片的需求。

本实施例中，所述光学邻近修正模型的建立方法还包括：提供初始光学邻近修正模型。

后续根据测试图形和初始光学邻近修正模型，以建立与所述晶圆版图图形相对应的光学邻近修正模型。而且，所述初始光学邻近修正模型用于后续对晶圆版图图形和初始测试图形进行模拟曝光。

所述初始光学邻近修正模型包括光学模型(Optical Model)和光刻胶模型(CTRModel)，所述光刻胶模型包括光刻胶曝光参考阈值。其中，所述光学模型依据光学透镜系统的各个参数例如数值孔径、曝光波长、以及光阻叠层的种类、厚度、折射率、消光系数等建立得到；所述光刻胶模型依据光刻胶曝光参考阈值(即光刻胶曝光时所需的最小能量)等参数建立得到。

本实施例中，在已知光刻胶材质的情况下，光刻胶曝光参考阈值固定，即可得知光刻胶曝光时所需的最小能量。

继续参考图2，执行步骤S2，获取所述晶圆版图图形的光强参数信息。

所述晶圆版图图形的光强参数信息用于和初始测试图形的光强参数信息相比较，从而判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖晶圆版图图形的光强参数信息，进而判断所述初始测试图形是否能够在光学临近修正模型建立的过程中用于表征晶圆版图图形。

具体地，获取所述晶圆版图图形的光强参数信息的步骤包括：利用所述初始光学邻近修正模型，对所述晶圆版图图形进行模拟曝光；对所述晶圆版图图形进行模拟曝光后，绘制所述晶圆版图图形的空间光强分布曲线；从所述晶圆版图图形的空间光强分布曲线中提取所述晶圆版图图形的光强参数信息。

本实施例中，所述空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布，相对于离焦的平面，光刻胶位于最佳聚焦平面可以获得最佳的关键尺寸，有利于后续在物理晶圆上形成较好质量的图形。

如图3所示，图3示出了任意一个晶圆版图图形的空间光强分布曲线的示意图。其中，横坐标表示晶圆版图图形的成像位置，纵坐标表示归一化后的光强强度，实线表示光强阈值(threshold，T)。其中，横坐标的零点表示所述晶圆版图图形的中心点。

本实施例中，所述光强参数信息的空间光强参数包括光强最大值(Imax)、光强最小值(Imin)和归一化图像对数斜率(NILS)中的一种或多种。

但是，所述光强参数信息的空间光强参数不仅限于上述类型。在其他实施例中，所述空间光强参数还可以包括在光强阈值位置出的斜率(K)、ILS(图像对数斜率)或归一化斜率(NS)等。

作为一种示例，所述晶圆版图图形的光强参数信息包括多个空间光强参数(aerial parameter)。具体地，所述晶圆版图图形的光强参数信息包括三个光强参数，分别为光强最大值、光强最小值和归一化图像对数斜率。

本实施例中，在获取所述晶圆版图图形的光强参数信息之前，还包括：对所述晶圆版图图形进行图形分组，获得多组同型图形，所述同型图形的光强参数信息相同。因此，获取所述晶圆版图图形的光强参数信息的步骤中，获取每一组同型图形的光强参数信息。

也就是说，对于每一组同型图形，无需采集所述同型图形中所有晶圆版图图形的光强参数信息，从而减少了获取光强参数信息时的数据采集量，进而提高建立光学邻近修正模型的效率。

例如：从每一组同型图形中任意选取一个晶圆版图图形，并获取所选取的晶圆版图图形的光强参数信息，用于表征所述同型图形中所有晶圆版图图形的光强参数信息。

本实施例中，获取所述晶圆版图图形的光强参数信后，所述光学临近修正模型的建立方法还包括：选取所述晶圆版图图形中多个空间光强参数中的至少两个，建立第一坐标系。

通过建立第一坐标系，从而为后续进行光强参数信息的比较作准备。

本实施例中，所述晶圆版图图形的光强参数信息包括三个空间光强参数，因此，所述第一坐标系为三维空间坐标系。

具体地，所述三维空间坐标系包括相互垂直的X轴、Y轴和Z轴。

如图4所示，图4示出了晶圆版图图形的光强参数信息对应的三维空间坐标系。X轴表示光强最大值(Imax)，Y轴表示光强最小值(Imin)，Z轴表示归一化图像对数斜率(NILS)。

其中，图4中深色图形用于表示晶圆版图图形的光强参数信息在三维空间坐标系中的分布，浅色图形表示光强参数信息在各个二维平面坐标系中的投影。

继续参考图2，执行步骤S3，获取所述初始测试图形的光强参数信息。

所述初始测试图形的光强参数信息用于和所述晶圆版图图形的光强参数信息相比较，从而判断所述初始测试图形是否涵盖所述晶圆版图图形中的所有类型图形。

具体地，获取所述初始测试图形的光强参数信息的步骤包括：利用所述初始光学邻近修正模型，对所述初始测试图形进行模拟曝光；对所述初始测试图形进行模拟曝光后，绘制所述初始测试图形的空间光强分布曲线；从所述初始测试图形的空间光强分布曲线中提取所述初始测试图形的光强参数信息。

本实施例中，所述光强参数信息的空间光强参数包括光强最大值、光强最小值和归一化图像对数斜率中的一种或多种。

作为一种示例，所述初始测试图形的光强参数信息包括多个空间光强参数。具体地，所述初始测试图形的光强参数信息包括三个光强参数，分别为光强最大值、光强最小值和归一化图像对数斜率。

对获取所述初始测试图形的光强参数信息的步骤的详细描述，可参考前述获取所述晶圆版图图形的光强参数信息时的相应描述，在此不再赘述。

本实施例中，获取所述初始测试图形的光强参数信息后，所述光学临近修正模型的建立方法还包括：选取所述初始测试图形中多个空间光强参数中的至少两个，建立第二坐标系。

通过建立第二坐标系，从而为后续进行光强参数信息的比较作准备。

本实施例中，所述初始测试图形的光强参数信息包括三个空间光强参数，因此，所述第二坐标系为三维空间坐标系。

具体地，所述三维空间坐标系包括相互垂直的X轴、Y轴和Z轴。

如图5所示，图5示出了初始测试图形的光强参数信息对应的三维空间坐标系。X轴表示光强最大值，Y轴表示光强最小值，Z轴表示归一化图像对数斜率。

其中，图5中深色图形用于表示初始测试图形的光强参数信息在三维空间坐标系中的分布，浅色图形表示光强参数信息在各个二维平面坐标系中的投影。

继续参考图2，执行步骤S4，比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息。

根据所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息的比较结果，以判断是否所述初始测试图形是否可用于表征所述晶圆版图图形中的所有类型图形。

本实施例中，在前述步骤中，选取所述晶圆版图图形中多个空间光强参数中的至少两个建立第一坐标系，选取所述初始测试图形中多个空间光强参数中的至少两个建立第二坐标系，因此，利用所述第一坐标系和第二坐标系，比较所述晶圆版图图形的光强分参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息。

利用所述第一坐标系和第二坐标系进行比较，以判断所述晶圆版图图形的任一空间光强参数是否位于所述初始测试图形中相对应的空间光强参数所在的范围内，以便于后续直观地判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息。

本实施例中，比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息的步骤包括：将所述第一坐标系和第二坐标系投影至同一二维平面坐标系中。

通过将所述第一坐标系和第二坐标系投影至同一二维平面坐标系中，从而减少比较光强参数信息时的计算量，且更易于进行比较。

具体地，所述三维空间坐标系包括相互垂直的X轴、Y轴和Z轴，因此，将所述第一坐标系和第二坐标系投影至同一二维平面坐标系中的步骤包括：依次将所述第一坐标系和第二坐标系投影至X-Y平面坐标系、X-Z平面坐标系和Y-Z平面坐标系中。

如图6所示，图6示出了比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息时的示意图。以将所述第一坐标系和第二坐标系投影至X-Y平面坐标系为例，X轴表示光强最大值(Imax)，Y轴表示光强最小值(Imin)，三角形图形用于表征初始测试图形的光强参数信息，菱形图形用于表征晶圆版图图形的光强参数信息。

需要说明的是，在其他实施例中，也可以利用三维空间坐标系来进行光强参数信息的比较。

继续参考图2，执行步骤S5，判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息。

其中，当所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，则执行步骤S6，将所述初始测试图形作为测试图形；当所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，则执行步骤S7，将所述初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形。

当所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形，因此，根据所述测试图形建立光学邻近修正模型后，该光学邻近修正模型中的测试图形能够用于表征晶圆版图图形，根据所述光学邻近修正模型进行光学临近修正时，光学临近修正的精准度较高，相应的，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的误差较小。

具体地，判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息的步骤包括：在同一所述二维平面坐标系中，若所述晶圆版图图形的光强参数所在的区域范围位于所述初始测试图形的光强参数所在的区域范围内，则所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息；若所述晶圆版图图形的光强参数所在的区域范围超出所述初始测试图形的光强参数所在的区域范围，则所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息。

如图6所示，以将所述第一坐标系和第二坐标系投影至X-Y平面坐标系为例，X轴表示光强最大值(Imax)，Y轴表示光强最小值(Imin)，三角形图形用于表征初始测试图形的光强参数信息，菱形图形用于表征晶圆版图图形的光强参数信息。由图6可知，所述晶圆版图图形的光强参数所在的区域范围超出所述初始测试图形的光强参数所在的区域范围，也即表征所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息。

作为一种示例，如图6中采用实线圈表示所述初始测试图形所缺失的部分光强参数信息。

需要说明的是，为了验证将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形后，测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息，可以再次比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述测试图形的光强参数信息，以保证所述测试图形的光强参数信息完全涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息。

继续参考图2，执行步骤S8，根据所述测试图形，建立与所述晶圆版图图形相对应的光学邻近修正模型。

所述测试图形的光强参数信息涵盖了晶圆版图图形的光强参数信息，因此，根据所述测试图形建立光学邻近修正模型后，该光学邻近修正模型中的测试图形能够更好地表征晶圆版图图形，根据所述光学邻近修正模型进行光学临近修正后，光学临近修正的精准度较高，相应的，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的误差较小。

具体地，为了进一步提高光学邻近修正的精准度，所述光学邻近修正模型为基于模型的光学邻近修正模型。

相应的，本实施例还提供一种光学邻近修正方法，包括：提供利用前述实施例所述方法得到的光学邻近修正模型；提供晶圆版图图形；根据所述光学邻近修正模型对所述晶圆版图图形进行光学邻近校正。

由前述记载可知，所述光学邻近修正模型中的测试图形能够更好地表征晶圆版图图形，因此，根据所述光学邻近修正模型进行光学临近修正后，光学临近修正的精准度较高。

图7是采用本实施例所述方法建立的光学临近修正模型进行光学邻近修正后，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的线宽误差示意图。如图7所示，晶圆版图图形的模拟线宽与相对应的物理晶圆图形的实际线宽的线宽误差的最大值由目前的8nm缩减至3nm左右，因此，光学邻近修正的精准度较高。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。