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单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子雪崩二极管阵列

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摘要

本发明涉及一种单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子雪崩二极管阵列。所述单光子雪崩二极管在有源区的边缘区域设有沿衬底厚度方向纵向延伸的p型掺杂区，并且，在p型掺杂区的远离隔离沟槽的一侧，还设有沿衬底厚度方向纵向延伸的n型掺杂区，p型掺杂区和n型掺杂区对隔离沟槽处产生的缺陷起到了隔离作用，可以有效降低由于该缺陷引起的暗计数，并且，所述n型掺杂区与有源区内pn结中的与所述n型掺杂区具有相同掺杂类型的掺杂区电连接，能够将因p型掺杂区而收缩的耗尽区拓宽，使得在降低单光子雪崩二极管的暗计数率的同时，不影响器件的光子探测效率。所述单光子雪崩二极管阵列包括阵列排布的上述单光子雪崩二极管。

著录项

  • 公开/公告号CN113690337A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202111070697.6

  • 发明设计人 魏丹清;

    申请日2021-09-13

  • 分类号H01L31/107(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人田婷

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2023-06-19 13:21:35

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