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衬底用抛光垫及抛光装置及其抛光工艺

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摘要

一种衬底用抛光垫，其材质为高分子材料，邵氏硬度为70‑75，厚度为2‑3mm，采用所述抛光垫及其抛光装置对衬底进行抛光作业，可降低衬底表面损伤层深度，提高抛光对于平坦度的修复能力，进一步降低衬底抛光后的平坦度数值。

公开/公告号CN113696092A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26

原文格式PDF
申请/专利权人福建晶安光电有限公司;
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申请/专利号CN202111012634.5
发明设计人萧尊贺;陈李彪;宋淀垣;谢斌晖;
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申请日2021-08-31
分类号B24B37/20(20120101);B24B37/24(20120101);B24B37/26(20120101);B24B37/04(20120101);B24B57/02(20060101);B24B57/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
入库时间 2023-06-19 13:26:15

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-07-28

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B24B37/20 专利申请号:2021110126345 申请公布日:20211126

发明专利申请公布后的视为撤回

1. 衬底用抛光垫及抛光装置及其抛光工艺 [P] . 中国专利： CN113696092A . 2021-11-26
2. 计算过度抛光时间和/或最后抛光步骤的抛光时间以控制衬底化学机械式抛光工艺的方法及系统 [P] . 中国专利： CN1620357A . 2005-05-25
3. POLISHING PAD AND APPARATUS FOR POLISHING SUBSTRATE HAVING THE POLISHING PAD, METHOD OF MANUFACTURING THE POLISHING PAD [P] . KR102318482B1 . 2021-10-29

机译：抛光垫和用于抛光衬底的抛光垫，具有抛光垫，制造抛光垫的方法
4. Polishing pad for use in the chemical/mechanical polishing of a semiconductor substrate and method of polishing the substrate using the pad [P] . 美国专利： US6165904A . 2000-12-26

机译：用于半导体衬底的化学/机械抛光的抛光垫以及使用该抛光垫抛光衬底的方法
5. Polishing pad for CMP, method for polishing substrate using it and method for producing polishing pad for CMP [P] . 美国专利： US7374474B2 . 2008-05-20

机译：用于CMP的抛光垫，使用该抛光垫的衬底的抛光方法以及用于CMP的抛光垫的制造方法