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最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置

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本发明涉及最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置。一种最小化在半导体衬底等离子体处理装置中的半导体衬底上进行的沟槽填充工艺期间沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应的方法，该方法包括将半导体衬底支撑在半导体衬底等离子体处理装置的真空室中的基座上。使包括TEOS、氧化剂和氩气的工艺气体流动通过喷头组件的面板进入真空室的处理区域中。RF能量将所述工艺气体激励成等离子体，其中TEOS氧化物膜被沉积在半导体衬底上以便填充其至少一个沟槽。所述氩气以足以增大所述等离子体的电子密度的量供给，使得朝向半导体衬底的中央的TEOS氧化物膜的沉积速度增大，以及在至少一个沟槽中所沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应减小。

著录项

公开/公告号CN113903654A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-07

原文格式PDF
申请/专利权人朗姆研究公司;
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申请/专利号CN202110950325.6
发明设计人阿鲁尔·N·达斯;
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申请日2016-03-07
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/205(20060101);H01J37/32(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;李献忠
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 13:33:57

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专利
中文文献
外文文献

1. 最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置 [P] . 中国专利： CN113903654A . 2022-01-07
2. 最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置 [P] . 中国专利： CN105938792A . 2016-09-14
3. Method and apparatus to minimize seam effect during TEOS oxide film deposition [P] . 美国专利： US9570289B2 . 2017-02-14

机译：在TEOS氧化膜沉积期间最小化接缝效应的方法和设备
4. - A method for depositing an ozone-TEOS oxide film eliminated base material dependence and a deposition equipment for depositing a material film at multiple temperature [P] . 韩国专利： KR100297733B1 . 2001-09-22

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