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基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑和下旋逻辑电路

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本发明公开了一种基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑和下旋逻辑电路。所述基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑电路由第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一NMOS管T1和第二NMOS管T2所构成；所述基于忆阻器的三值单变量下旋逻辑电路由第三忆阻器M3、第四忆阻器M4、第五忆阻器M5、第三NMOS管T3、第四NMOS管T4和第五NMOS管T5所构成。本发明中的基于忆阻器的三值单变量上旋和下旋逻辑电路，电路模型结构清晰简单、易于实现，对多值数字逻辑电路设计等诸多领域中的应用研究具有重要意义。

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公开/公告号CN113992200A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28

原文格式PDF
申请/专利权人杭州电子科技大学;
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申请/专利号CN202111147878.4
发明设计人王晓媛;董传涛;周嘉维;程知群;
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申请日2021-09-29
分类号H03K19/0185(20060101);H03K19/20(20060101);
代理机构33246 浙江千克知识产权代理有限公司;
代理人周雷雷
地址 310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街
入库时间 2023-06-19 14:01:55

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