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一种直接探测中子的10BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法

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本发明公开一种直接探测中子的10BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法，以源加热炉加热生长源，使其分解为气态产物，以氩气或者氮气作为气态产物的载气，在混气罐中混气结束后通入刚玉管中进行10BN薄膜的生长。该生长方法使用的生长源为富集10B，使得生长的10BN薄膜中有较好的10B丰度；该生长方法的生长源与载气在混气罐中混气结束后通入反应腔室，使得生长源能和载气均匀混合，能有效地提高10BN薄膜的生长速率和质量；该生长方法利用加热线圈加热生长源的传输路径，以减少前驱体在传输过程中的损耗；该生长方法利用双温区的高温管式炉，使得温度场更加稳定。

著录项

公开/公告号CN114059039A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18

原文格式PDF
申请/专利权人郑州工程技术学院;东华理工大学;
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申请/专利号CN202111352932.9
发明设计人朱志甫;王少堂;邹继军;甘勇;郭晨鲜;张洋;王民川;孔国利;岳秀萍;
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申请日2021-11-16
分类号C23C16/34(20060101);C23C16/448(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/458(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/44(20060101);
代理机构36100 江西省专利事务所;
代理人胡里程
地址 450045 河南省郑州市惠济区英才街18号
入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-08

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 专利申请号:2021113529329 申请日:20211116

实质审查的生效

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