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一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构

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本发明提供了一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构，涉及半导体技术领域，本发明利用点缺陷周期性掺杂提升电流开关比，降低延迟时间和功耗延迟积等性能的场效应晶体管器件结构；该结构分别通过引入Se(S)取代缺陷和锡空位缺陷实现对SnS2的n型和p型缺陷，改善材料的电学性能。在此基础上，使用点缺陷掺杂后的Sn4S7Se和Sn5S8分别作为沟道材料构建双栅极n型和p型场效应晶体管，通过可控地调节沟道区域的载流子类型和浓度，提高门电压对器件电流的调控能力，降低延迟时间和亚阈值摆幅，使器件各项性能指标达到2028年半导体技术路线对场效应晶体管高性能和低能耗的技术要求。

著录项

公开/公告号CN114141882A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-04

原文格式PDF
申请/专利权人嘉兴学院;
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申请/专利号CN202111430047.8
发明设计人贺园园;赵健伟;程娜;
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申请日2021-11-29
分类号H01L29/786(20060101);H01L29/24(20060101);
代理机构32237 江苏圣典律师事务所;
代理人王慧颖
地址江苏省南京市越秀南路56号
入库时间 2023-06-19 14:23:39

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2022-03-04

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