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LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法。所述方法包括至少调整所述LDMOS器件的沟道掺杂区的掺杂分布,使所述LDMOS器件的半导体结构层内形成沟道价带能带的能谷,并使电子位于所述能谷内,从而在所述LDMOS器件的半导体结构层与栅氧化层之间形成势垒,所述势垒至少能够阻止电子轰击所述半导体结构层与栅氧化层的界面。本发明提供的方法能够提高热载流子注入效应的极限,使器件的导通电阻降低50%,饱和电流提升105%。

著录项

  • 公开/公告号CN114551579A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州华太电子技术有限公司;

    申请/专利号CN202011336847.9

  • 发明设计人 莫海锋;

    申请日2020-11-25

  • 分类号H01L29/10;H01L29/78;

  • 代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人赵世发

  • 地址 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F

  • 入库时间 2023-06-19 15:27:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-27

    公开

    发明专利申请公布

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