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一种在高阻型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备

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摘要

本发明提供了一种在高阻型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备，其中，所述分子束外延设备包括MBE生长室、设置在所述MBE生长室内的不锈钢托盘，以及设置在所述不锈钢托盘底端的高阻型氧化镓衬底，其特征在于，所述不锈钢托盘的下方设置有激光器，所述激光器发出的激光光斑覆盖所述不锈钢托盘的整个底端。本发明中由于高阻型氧化镓衬底对激光的吸收很小，激光可以直接通过高阻型氧化镓衬底照射到不锈钢托盘上，因此可通过设置在不锈钢托盘底端的激光器以激光加热的方式均匀的加热MBE生长室中的不锈钢托盘，进而实现高阻型氧化镓衬底的均匀受热，制备出高质量、厚度均匀的同质外延氧化镓薄膜。

著录项

公开/公告号CN114855269A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-08-05

原文格式PDF
申请/专利权人杭州富加镓业科技有限公司;
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申请/专利号CN202210466526.3
发明设计人陈端阳;齐红基;赛青林;
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申请日2022-04-29
分类号C30B25/10(2006.01);C30B30/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);
代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268;
代理人徐凯凯
地址 311400 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室
入库时间 2023-06-19 16:20:42

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