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碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法

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摘要

本发明提供能够抑制从籽晶与石墨的界面发生的晶体缺陷，再现性好地制造晶体缺陷密度低的高品质的碳化硅单晶的碳化硅单晶生长用籽晶。作为这样的碳化硅单晶生长用籽晶，是安装在填充有碳化硅原料粉末的石墨制坩埚的盖上的碳化硅单晶生长用籽晶(13)，使用由一面作为采用升华法使碳化硅单晶生长的生长面(4a)的由碳化硅构成的籽晶(4)、和形成于所述籽晶(4)的所述生长面的相反侧的面(4b)上碳膜(12)构成，且所述碳膜(12)的膜密度为1.2～3.3g/cm³的碳化硅单晶生长用籽晶(13)。

著录项

公开/公告号CN102057084B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-27

原文格式PDF
申请/专利权人昭和电工株式会社;
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申请/专利号CN200980120925.7
发明设计人小柳直树;小古井久雄;
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申请日2009-06-12
分类号C30B29/36(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人段承恩;田欣
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:13:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-27

授权

授权
2011-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20090612

实质审查的生效
2011-05-11

公开

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