公开/公告号CN115312429A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-08
原文格式PDF
申请/专利权人 赫曼半导体技术(深圳)有限公司;
申请/专利号CN202210962621.2
申请日2022-08-11
分类号H01L21/67;
代理机构北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人于淼
地址 518110 广东省深圳市龙华区观湖街道观城社区大和村603号1503
入库时间 2023-06-19 17:30:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-08
公开
发明专利申请公布
机译: 湿法制程中板膜厚度和刻槽深度的测量方法
机译: 提供适合于湿法冶金液-液萃取的沉降器溶剂萃取工艺,该工艺包括一个进料装置,该进料装置包括一个进料细长导管,该导管的第一端用于接收来自装置D侧的分散液,第二端则用于延伸进料槽。供稿结束。
机译: 形成用于湿法蚀刻的掩膜,用于湿法蚀刻的掩膜,静电致动器,液滴排放头和半导体装置的膜的方法,所述基质通过使用用于湿法蚀刻的掩膜形成的基质,并且将装置和电子设备成像