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提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法

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本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型层、发光层和p型层，所述发光层包括多个层叠的有源层，每个所述有源层包括依次层叠的InGaN量子阱层、Mg金属层、p型GaN层和GaN量子垒层，在形成所述p型GaN层之前，向反应腔内通入Mg源，对所述InGaN量子阱层进行表面处理，在所述InGaN量子阱层的表面的凹坑内形成所述Mg金属层。本公开实施例能改善量子阱与量子垒界面处晶体质量和发光二极管的内量子效率，以提升发光效率。

著录项

公开/公告号CN115566119A

专利类型发明专利
公开/公告日2023-01-03

原文格式PDF
申请/专利权人华灿光电(浙江)有限公司;
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申请/专利号CN202211095304.1
发明设计人尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲;
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申请日2022-09-05
分类号H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14;
代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司;
代理人吕耀萍
地址 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
入库时间 2023-06-19 18:11:21

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法律状态
2023-01-03

公开

发明专利申请公布

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