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超低电压的自动调零的多阶段高速CMOS比较器

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为了用于一精密ADC，一个前置放大器电路可以被级联并驱动一锁存器。该前置放大器有一主要部分和一反馈部分，反馈部分连接反馈电阻，而不会在主要部分产生电压降。偏移电荷在自动调零阶段存储在偏移电容上，在放大阶段则被传输门隔离。偏移电容驱动反馈晶体管的栅极，其驱动主要部分的输出节点。反馈部分内的自动调零流入晶体管在线性区域工作运行，而主要部分内的电流流入晶体管在饱和区域工作运行。可以增加反冲电荷隔离晶体管用于电荷隔离。均衡输出也可以被一个均衡传输门来均衡。由于折叠的反馈电阻安排，甚至可以支持一个非常低的电源电压用于高速运行，而且消除偏移。

著录项

公开/公告号CN102412840B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-30

原文格式PDF
申请/专利权人香港应用科技研究院有限公司;
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申请/专利号CN201110343582.X
发明设计人陈桂枝;王一涛;温皓明;温锦泉;邝国权;
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申请日2011-11-03
分类号H03M1/44(20060101);
代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;
代理人江耀纯
地址中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼
入库时间 2022-08-23 09:16:26

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-10-30

授权

授权
2012-05-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H03M 1/44 申请日:20111103

实质审查的生效
2012-04-11

公开

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1. 超低电压的自动调零的多阶段高速CMOS比较器 [P] . 中国专利： CN102412840B . 2013.10.30
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