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具有IV族合金的反向多结太阳能电池

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摘要

本发明涉及一种制造太阳能电池的方法，其包括提供生长衬底；在所述生长衬底上沉积形成太阳能电池的半导体材料层的序列，其包含由III-V族合金构成的至少一个子电池以及由IV族合金（例如GeSiSn）构成的至少一个子电池；及移除所述半导体衬底。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 登记生效日:20150309 申请日:20100428

专利申请权、专利权的转移
2014-11-05

授权

授权
2012-04-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20100428

实质审查的生效
2010-11-10

公开

公开

1. 具有IV族合金的反向多结太阳能电池 [P] . 中国专利： CN101882645B . 2014.11.05
2. 具有Ⅳ/Ⅲ-Ⅴ族混合合金的多结太阳能电池 [P] . 中国专利： CN101882644A . 2010-11-10
3. Inverted multijunction solar cells with group IV/III-V hybrid alloys [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2439789B1 . 2020-08-26

机译：具有IV / III-V族混合合金的倒转多结太阳能电池
4. Inverted multijunction solar cells with group IV/III-V hybrid alloys [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2439789A1 . 2012-04-11

机译：具有IV / III-V族混合合金的倒转多结太阳能电池
5. Inverted Multijunction Solar Cells with Group IV/III-V Hybrid Alloys [P] . 美国专利： US2010282305A1 . 2010-11-11

机译：具有IV / III-V族混合合金的倒转多结太阳能电池