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用于定向凝固法生长单晶硅的装置及其使用方法

摘要

本发明提供一种用于定向凝固法生长单晶硅的装置,该装置至少包括炉体(13)、用于支撑炉体的支柱(15)、由支柱支撑的热交换块(4)、放置在热交换块上的坩埚护板(8)、坩埚护板内的用于承装硅料的石英坩埚(9)、固定在石英杆(14)上的加热器(7)、以及由活动连杆(6)控制的侧隔热笼(3),其特征在于,在坩埚护板外部底侧围绕整个坩埚护板,安装有隔热设备(10)。该装置通过在坩埚护板外部底侧加入隔热设备控制籽晶的熔化,解决了定向凝固法生长单晶硅时底部籽晶完全熔化的问题。本发明还提供使用该装置定向凝固法生长单晶硅的方法,所述方法包括以下步骤:(1)依次将作为籽晶的单晶硅料、多晶硅料和掺杂剂置于坩埚中;(2)加热硅料,使籽晶熔化10%-90%;(3)降低加热器的温度,硅熔体沿籽晶方向定向凝固生长,经退火冷却后得到单晶硅。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    授权

    授权

  • 2013-05-15

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B11/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130422 申请日:20110421

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-12-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20110421

    实质审查的生效

  • 2012-10-24

    公开

    公开

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