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基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法

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一种基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法，主要应用于单晶硅表面纳米结构的加工。其具体操作方法是：先用湿法氧化的方法在单晶硅表面生长SiO_x薄层，然后将生长有SiO_x薄层的单晶硅取出清洗并固定在样品台上，然后将二氧化硅球形探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上，启动设备，控制探针按设定的参数在样品表面进行扫描，再将样品置于KOH溶液与异丙醇的混合溶液中进行刻蚀加工，即可完成。该方法所用SiO_x的掩膜制作简易，成本低廉；探针扫描过程中接触压力极低，不会引起单晶硅基底的屈服，加工得到的单晶硅纳米结构服役寿命长；湿法氧化所获得的SiO_x薄层掩膜作用良好，可以提高加工深度。

著录项

公开/公告号CN103738912B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-03

原文格式PDF
申请/专利权人西南交通大学;
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申请/专利号CN201310733086.4
发明设计人钱林茂;郭剑;陈磊;余丙军;宋晨飞;
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申请日2013-12-27
分类号B81C1/00(20060101);
代理机构51208 成都博通专利事务所;
代理人陈树明
地址 610031 四川省成都市二环路北一段111号
入库时间 2022-08-23 09:34:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-02-03

授权

授权
2014-05-21

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20131227

实质审查的生效
2014-04-23

公开

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