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增加对单事件翻转的抵抗力的储存电路及方法

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本发明涉及增加对单事件翻转的抵抗力的储存电路及方法。该储存电路具有第一储存区块，被配置为在至少一种操作模式下执行第一储存功能；以及第二储存区块，被配置为在至少一种操作模式下执行与第一储存功能不同的第二储存功能。配置电路响应于第二储存功能未被使用的预定操作模式，将第二储存区块配置为与第一储存区块并行操作。通过在两个储存区块之一未以其它方式正执行有用功能时并联地布置这两个储存区块，这实际上增加了仍正在执行有用储存功能的储存区块的大小，且因而增加了其对单事件翻转的抵抗力。此种做法有最小的面积及功耗开销，且提供了一种容易用于各种不同的顺序单元设计的小型储存电路。

著录项

公开/公告号CN102737700B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-20

原文格式PDF
申请/专利权人 ARM有限公司;
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申请/专利号CN201210068609.3
发明设计人米赫·拉伽尼坎特·乔德瑞;维卡斯·钱德拉;
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申请日2012-03-12
分类号
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人宋鹤
地址英国剑桥
入库时间 2022-08-23 09:38:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-20

授权

授权
2014-02-05

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/10 申请日:20120312

实质审查的生效
2012-10-17

公开

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