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公开/公告号CN206705685U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-12-05
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市大族元亨光电股份有限公司;
申请/专利号CN201621493922.1
发明设计人 叶恩洲;陈文冰;黄裔裔;林菊香;焦伟棋;张新庆;
申请日2016-12-30
分类号
代理机构深圳中一专利商标事务所;
代理人阳开亮
地址 518000 广东省深圳市宝安区福永街道桥头社区永福路118号永威工业园A栋、D栋
入库时间 2022-08-22 03:18:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-05
授权
机译: 通过化学气相沉积生产高质量的大规模单层和多层石墨烯
机译: 通过化学气相沉积大规模生产高质量的单层和多层石墨烯
机译:高质量和大规模的手动单层石墨烯贴
机译:通过在有机材料之上转移高质量的单层石墨烯来工程化金属-有机界面
机译:具有超高质量催化活性的大规模石墨烯-双金属薄膜电极,用于持久的水分解
机译:FET上的单层和连续大规模石墨烯薄膜
机译:范德沃尔斯异质结构装置:从单层石墨烯到扭曲的双层石墨烯
机译:高度可复制的单层的连续增长本地开发的LPCVD装置在铜箔上沉积石墨烯
机译:高质量单层薄膜的纳米尺度不称重装置性能
机译:单层石墨烯谐振器的大规模阵列