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ZnSe晶体基片的热处理法,热处理的基片和光发射装置

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摘要

本发明关于用Al作为施主杂质进行掺杂，热处理ZnSe晶体基质的方法，利用该热处理制备的ZnSe晶体基片和利用该ZnSe晶体基片制备的光发射装置，尤其是，热处理ZnSe晶体基片的方法包括预先在基片上形成Al膜，首先使基片在Se环境气氛中进行热处理，然后再在Zn环境气氛中进行热处理。

1. ZnSe晶体基片的热处理法,热处理的基片和光发射装置 [P] . 中国专利： CN1222643C . 2005.10.12
2. 基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质 [P] . 中国专利： CN112180695A . 2021-01-05
3. THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS COMPRISING THE SUBSTRATE [P] . 韩国专利： KR20160027332A . 2016-03-10

机译：薄膜晶体管基片和包含该基片的显示装置
4. APPARATUS FOR MAKING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING THE SUBSTRATE [P] . 韩国专利： KR20070067899A . 2007-06-29

机译：制作薄膜晶体管基片的装置和制作基片的方法
5. INDIRECT THERMAL CRYSTALIZATION THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20120000261A . 2012-01-02

机译：间接热结晶薄膜晶体管基片及其制造方法