首页> 中国专利> 用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源

用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供半导体器件。该器件包括衬底，通过第一半导体材料形成的鳍结构，位于鳍的一部分上的栅极区，在衬底上且通过栅极区隔开的源极区和漏极区，以及在源极区和漏极区上的源极/漏极堆叠件。源极/漏极堆叠件的下部通过第二半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的下部。源极/漏极堆叠件的上部通过第三半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的上部。本发明还提供一种用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源。

著录项

公开/公告号CN103715258B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201310020026.8
发明设计人吴志强;张广兴;江国诚;苏俊钟;朱熙甯;
展开▼

申请日2013-01-18
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:44:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-17

授权

授权
2014-05-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130118

实质审查的生效
2014-04-09

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源 [P] . 中国专利： CN103715258B . 2016.08.17
2. 包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件 [P] . 中国专利： CN103855216B . 2017.04.26
3. Method for measuring analog channel resistance of a semiconductor device having a gate, a source, a drain, a drain sense and a source sense [P] . 美国专利： US7615991B2 . 2009-11-10

机译：测量具有栅极，源极，漏极，漏极感测和源极感测的半导体器件的模拟沟道电阻的方法
4. Method and structure to prevent silicide strapping of source/drain to body in semiconductor devices with source/drain stressor [P] . 美国专利： US7405131B2 . 2008-07-29

机译：在具有源极/漏极应力源的半导体器件中，防止硅化物将源极/漏极束缚在主体上的方法和结构
5. Method and structure to prevent silicide strapping of source/drain to body in semiconductor devices with source/drain stressor [P] . 美国专利： US2007020864A1 . 2007-01-25

机译：在具有源极/漏极应力源的半导体器件中，防止硅化物将源极/漏极束缚在主体上的方法和结构