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部分耗尽SOI MOSFET的测试结构及其形成方法

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一种部分耗尽SOI MOSFET的测试结构及其形成方法，该测试结构包括：测试用MOSFET、多个测试接触区，及第一隔离结构。测试用MOSFET包括：具有顶层硅的SOI半导体衬底；位于顶层硅上方的T型栅，包括“一”型部及“|”型部；位于顶层硅内的源区、漏区及体接触区。多个测试接触区沿“|”型部的延伸方向间隔排列，并位于源区的远离“|”型部的一侧的顶层硅内。第一隔离结构的深度不小于所述顶层硅的厚度，并位于相邻两个测试接触区之间。利用该测试结构可以间接测量出待检测的MOSFET在不同体区位置的局部体区电势，有助于MOSFET找到避免浮体效应的关键沟道尺寸，以此来进一步优化MOSFET的结构。

著录项

公开/公告号CN103258813B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-24

原文格式PDF
申请/专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201310146339.8
发明设计人刘张李;
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申请日2013-04-24
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:45:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-24

授权

授权
2014-07-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20130424

实质审查的生效
2014-04-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/544 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20130424

专利申请权、专利权的转移
2013-08-21

公开

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