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低温多晶硅有机电激发光装置的制法

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摘要

一种低温多晶硅有机电激发光装置的制法，包含以下步骤：提供一基板；于基板形成一非晶硅层；于非晶硅层以黄光制程，离子掺杂形成复数个具有源极、漏极基极图样的晶体管元件图样；以激态激光回火处理所有具有源极、漏极基极图样的晶体管元件图样；于基板表面形成与基极连接的第二导电线图样；于基极层与部分第二导电线上形成一具有图样的绝缘层，且于基板上同时形成一具有一图样的第一导电线与一具有一图样的第一显示电极，其中第一导电线与第二导电线间夹置有绝缘层，第一导线与源极连结，第一显示电极与漏极连结；于第一显示电极上形成至少一有机电激发光层；以及于有机电激发光层上形成一第二电极层；其中第一导电线与第二导电线相交错，并于交错处不直接连接导通。

著录项

  • 公开/公告号CN1209673C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 铼宝科技股份有限公司;

    申请/专利号CN02124913.X

  • 发明设计人 卢添荣;

    申请日2002-06-25

  • 分类号G02F1/15;H01L21/324;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 台湾省新竹县

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-13

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/15 授权公告日:20050706 终止日期:20170625 申请日:20020625

    专利权的终止

  • 2005-07-06

    授权

    授权

  • 2005-07-06

    授权

    授权

  • 2004-04-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-04-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-12-31

    公开

    公开

  • 2003-12-31

    公开

    公开

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