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一种新的晶硅太阳能电池前栅线电极开槽方法以及该太阳能电池的制造方法

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摘要

本发明公开了一种新的晶硅太阳能电池前栅线电极开槽方法以及该太阳能电池的制造方法。包括晶体硅P‑N接衬底；背电极；与晶体硅P‑N 结衬底N 区欧姆接触的前栅电极；位于晶体硅P‑N 结衬底N 区表面的减反射层。所述制造方法包括清洗制绒步骤、扩散、制结步骤、洗磷和刻蚀步骤、制备背电极步骤、丝网印刷前栅线电极模型、制备减反射层步骤、腐蚀前栅线电极模型及超声除去前栅线电极模型上的减反射层、光诱导电镀前栅线电极步骤、氧化烧结步骤、电镀前栅线电极步骤。本发明结合传统的丝网印刷技术为发射极开槽，便于与工业化生产相结合，采用光诱导电镀前栅电极、氧化烧结，具有生产工艺简单、效率高及光电转化效率高的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN104576824B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 云南大学;

    申请/专利号CN201410568843.1

  • 发明设计人 刘铸;李俊杰;申皓;罗晓斌;李璇;何桃玲;

    申请日2014-10-23

  • 分类号

  • 代理机构昆明今威专利商标代理有限公司;

  • 代理人赛晓刚

  • 地址 650091 云南省昆明市翠湖北路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-01

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20141023

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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