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一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法

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本发明公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法，制作方法包括：步骤一)放置材料、步骤二)材料外延、步骤三)锗浓缩。制得的绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料的结构自下而上依次为硅衬底、阻止N型杂质原子向硅衬底扩散的埋层SiO

著录项

公开/公告号CN104701360B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-09-29

原文格式PDF
申请/专利权人福建工程学院;
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申请/专利号CN201510115322.5
发明设计人黄诗浩;陈佳新;谢文明;林抒毅;聂明星;邵明;林承华;蒋新华;
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申请日2015-03-17
分类号
代理机构北京市商泰律师事务所;
代理人王晓彬
地址 350118 福建省福州市大学新区学园路3号
入库时间 2022-08-23 10:01:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-09-29

授权

授权
2015-07-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/36 申请日:20150317

实质审查的生效
2015-07-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/36 申请日:20150317

实质审查的生效
2015-06-10

公开

公开
2015-06-10

公开

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1. 一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法 [P] . 中国专利： CN104701360B . 2017.09.29
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