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Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN组合紫外发光管及其制备方法

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本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及两种Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN組合紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的p型GaN空穴注入层，空穴注入层上制备的n‑ZnO电子注入层和下电极，电子注入层上面制备的上电极等部件构成，其特征在于：在p型GaN空穴注入层和n‑ZnO电子注入层之间还制备有Cu掺杂的ZnO有源层。本发明可实现ZnO带边的紫外发光，并可比ZnO‑GaN简单组合发光管提高输出功率，进一步拓展器件的应用范围。

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公开/公告号CN105720148B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-17

原文格式PDF
申请/专利权人金华吉大光电技术研究所有限公司;
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申请/专利号CN201610285795.4
发明设计人杜国同;梁红伟;董鑫;夏晓川;包俊飞;
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申请日2016-05-03
分类号
代理机构长春吉大专利代理有限责任公司;
代理人刘世纯
地址 321016 浙江省金华市仙源路855号研发展示中心01-402号
入库时间 2022-08-23 10:03:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/02 授权公告日:20171117 终止日期:20180503 申请日:20160503

专利权的终止
2017-11-17

授权

授权
2017-11-17

授权

授权
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/02 申请日:20160503

实质审查的生效
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20160503

实质审查的生效
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20160503

实质审查的生效
2016-06-29

公开

公开
2016-06-29

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公开
2016-06-29

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