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具有2DEG恢复效应的GaN HEMT器件

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摘要

本发明提供了一种具有2DEG恢复效应的GaN HEMT器件。其包括由下至上依次形成的Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层和GaN帽层，AlN势垒层形成在GaN沟道层的中心区域上，GaN沟道层的源极区域和漏极区域上形成有n+GaN外延层，其底端至少部分嵌入GaN沟道层内部，其顶端至少部分覆盖GaN帽层，其中，源极区域和漏极区域分别位于中心区域两侧，GaN帽层上形成有Al2O3钝化层，Al2O3钝化层至少部分覆盖n+GaN外延层，源极区域和漏极区域的n+GaN外延层上分别形成有源极和漏极，GaN帽层上方的Al2O3钝化层上形成有栅极。本发明能够实现毫米波段的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN105428410B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都海威华芯科技有限公司;

    申请/专利号CN201510815712.3

  • 发明设计人 黎明;

    申请日2015-11-20

  • 分类号H01L29/778(20060101);H01L29/267(20060101);

  • 代理机构51223 成都华风专利事务所(普通合伙);

  • 代理人胡川

  • 地址 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-02

    授权

    授权

  • 2016-05-04

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L29/778 变更前: 变更后: 申请日:20151120

    著录事项变更

  • 2016-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20151120

    实质审查的生效

  • 2016-03-23

    公开

    公开

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