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一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元

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本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的填充系数，增加芯片的利用率，为高密度全集成的SPAD阵列提供了可能。

著录项

公开/公告号CN104810377B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-06

原文格式PDF
申请/专利权人南京邮电大学;
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申请/专利号CN201510096762.0
发明设计人徐跃;黄杨;谢小朋;岳恒;
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申请日2015-03-04
分类号H01L27/144(20060101);H01L31/107(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/0224(20060101);
代理机构32207 南京知识律师事务所;
代理人汪旭东
地址 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
入库时间 2022-08-23 10:08:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-04

专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/144 登记生效日:20181217 变更前: 变更后: 申请日:20150304

专利申请权、专利权的转移
2018-03-06

授权

授权
2015-08-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/144 申请日:20150304

实质审查的生效
2015-07-29

公开

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