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由层堆的第一和第二区段形成的第一和第二磁阻传感器

摘要

实施例涉及一种包括层堆(600)的传感器装置,层堆(600)包括形成在共同基板(620)上的至少铁磁层和非磁层。传感器装置(600)还包括由层堆(600)的第一区段(611)提供的至少第一磁阻传感器元件(711)。第一磁阻传感器元件(711)这里被配置成生成第一信号。传感器装置(600)还包括由层堆(600)的第二区段(612)提供的第二磁阻传感器元件(712)。第二磁阻传感器元件(712)这里被配置成生成用于验证第一信号的第二信号。

著录项

  • 公开/公告号CN104567950B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201410555604.2

  • 发明设计人 J·齐默;H·威特施尼格;

    申请日2014-10-17

  • 分类号G01D5/18(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 德国诺伊比贝尔格

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-13

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01D5/18 申请日:20141017

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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