公开/公告号CN104567950B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201410555604.2
申请日2014-10-17
分类号G01D5/18(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 德国诺伊比贝尔格
入库时间 2022-08-23 10:09:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-13
授权
授权
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G01D5/18 申请日:20141017
实质审查的生效
2015-04-29
公开
公开
机译: 组件(20)包括面部密封件(46)的第一部分,其在比第一侧面部分(50)和第一侧面部分(50)更靠近第二侧面部分(52)的点处附接到底部(54)。 50)在底部(54)上方的一点处。面部密封件(48)的第二段在更靠近第二侧面部分的第一侧面部分(50)的位置处固定到底部(54)。 (52)和第二侧面部分(52)位于底部(50)上方的位置。面部密封件(46、48)的第一和第二段可各自包含一块弹性件(60、62)。此外,面部密封件(46)的第一段的至少一部分可延伸超过弹性件。所述第一部分的面部密封件60形成第一凸缘密封面68,并且所述第二部分的面部密封件48的一部分可以延伸超过所述第二部分的弹性件62。面密封件(48)以形成第二凸缘密封面(70)。
机译: 形成具有第二钝化层的半导体元件的方法,该钝化层具有第一开口和第二开口,其中第二开口具有键合垫的第一开口,而第二开口具有下面的第一钝化层的顶面
机译: 分离介电材料包括:使用第一和第二前体在衬底的导电部分上形成第一层,以及使用第一和第三前体在第二层上形成第二层。