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一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法

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摘要

本发明公开了一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法，所述圆片包括已刻蚀出深沟槽的半导体硅衬底和硬质掩蔽层，所述硬质掩蔽层包括氮化硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述半导体硅衬底和所述氮化硅层之间，所述方法包括：利用刻蚀气体对所述圆片进行干法刻蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的氮化硅层；利用湿法药液对所述圆片进行湿法腐蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的二氧化硅层。本发明可以有效去除由氮化硅和二氧化硅组成的硬质掩蔽层，保证后续工艺的顺利进行。

著录项

  • 公开/公告号CN104347363B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡华润上华半导体有限公司;

    申请/专利号CN201310335217.3

  • 发明设计人 徐振宇;章安娜;李晓明;

    申请日2013-08-02

  • 分类号

  • 代理机构北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人马晓亚

  • 地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-08

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/033 登记生效日:20180521 变更前: 变更后: 申请日:20130802

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-05-08

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/033 申请日:20130802

    实质审查的生效

  • 2015-02-11

    公开

    公开

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