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一种检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法

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本发明涉及到集成电路制造领域，尤其涉及到一种检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，通过提供一去除氧化隔离层的一半导体衬底，并观察形成位于NMOS晶体管和PMOS晶体管的各源极、漏极上的金属接触孔的亮暗程度，通过进一步的分析发生金属接触孔的亮度异常变化来判断出下面的P离子阱与N离子阱的间距，可以分析出不同离子阱间距发生离子阱形貌偏移时对器件性能的影响。

著录项

公开/公告号CN104269364B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-22

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力微电子有限公司;
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申请/专利号CN201410441471.6
发明设计人倪棋梁;陈宏璘;龙吟;
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申请日2014-09-01
分类号
代理机构上海申新律师事务所;
代理人吴俊
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 10:12:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-22

授权

授权
2015-02-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20140901

实质审查的生效
2015-01-07

公开

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