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半导体元件和具有其的半导体装置以及半导体元件的制造方法

摘要

为了提供可获得氧化物等的基板与金属膜的高密合性的半导体元件,该半导体元件具备氧化物的基板、在上述基板的上表面设置的半导体元件结构和在上述基板的下表面设置的金属膜,上述金属膜包含氧化物的纳米粒子。

著录项

  • 公开/公告号CN104821357B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日亚化学工业株式会社;

    申请/专利号CN201410831010.X

  • 发明设计人 盐路修司;藏本雅史;

    申请日2014-12-24

  • 分类号H01L33/46(20100101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人张玉玲

  • 地址 日本德岛县

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-06

    授权

    授权

  • 2016-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/46 申请日:20141224

    实质审查的生效

  • 2015-08-05

    公开

    公开

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