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一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法

摘要

本发明涉及一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法。采用偏向SiC籽晶,利用非对称粘结籽晶的方式控制其小面生长的机制,通过气氛导流板获得比标准直径可增大20mmSiC单晶材料。进行非对称性的滚圆工作,获得无小面的SiC单晶材料。通过本方面的方法可获得低缺陷密度、电学偏差在3.5%以下的N型SiC单晶衬底材料。

著录项

  • 公开/公告号CN106012002B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东大学;

    申请/专利号CN201610389489.5

  • 发明设计人 彭燕;徐现刚;陈秀芳;胡小波;

    申请日2016-06-04

  • 分类号C30B23/02(20060101);C30B29/36(20060101);

  • 代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈桂玲

  • 地址 250199 山东省济南市历城区山大南路27号

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-19

    授权

    授权

  • 2016-11-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B23/02 申请日:20160604

    实质审查的生效

  • 2016-10-12

    公开

    公开

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