法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-19
授权
授权
2016-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B23/02 申请日:20160604
实质审查的生效
2016-10-12
公开
公开
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译: SiC晶体的制造方法和SiC晶体,以使微管从衬底延续到衬底,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶衬底
机译: SiC晶体的晶体生长方法和SiC晶体衬底