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一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路

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一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，属于半导体光电技术领域。本发明利用单光子雪崩光电二极管SPAD结电容与第一NMOS管M1的漏极寄生电容、第二NMOS管M2和第一PMOS管M3的栅极寄生电容充当负载电容感应雪崩电流，替代了大电阻的引入，节省了版图面积、提高像素单元填充系数，有效提高探测阵列的探测像素；本发明的电路结构简单，不存在无源器件，仅利用单光子雪崩光电二极管SPAD阳极点处的寄生负载电容感应雪崩电流并进行I‑Q‑V积分转换，将电流转换为电压信号，经反相器处理后输出脉冲信号，此结构一方面可以降低电路瞬态功耗，另一方面可以加快检测速率，缩短淬灭时间，减少流过单光子雪崩光电二极管SPAD的电荷数量，且电路结构简单，有利于大规模阵列集成。

著录项

公开/公告号CN107063452B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-20

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201710223480.1
发明设计人张有润;刘凯;刘影;钟晓康;王文;李明晔;张波;
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申请日2017-04-07
分类号G01J1/44(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:14:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-20

授权

授权
2017-09-12

实质审查的生效 IPC(主分类):G01J1/44 申请日:20170407

实质审查的生效
2017-08-18

公开

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