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光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化的方法

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摘要

一种光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化之方法，用于光刻技术图案化之方法包括以下步骤：提供基板；在此基板之上形成材料层；将此材料层的一部分暴露于辐射；且在显影剂中移除此材料层的一未暴露部分，产生图案化材料层。显影剂具有大于1.82的Log P值且含有有机溶剂。在一实施例中，有机溶剂为由化学式CH

1. 光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化的方法 [P] . 中国专利： CN106325002B . 2018.11.02
2. 电子束光刻技术制备图案化碳纳米结构材料的方法 [P] . 中国专利： CN101613099A . 2009-12-30
3. Substrate with EUV lithography for reflective layer , EUV lithography for reflective mask blank , EUV lithography for reflective mask , and method of manufacturing a substrate with the reflective layer . [P] . 日本专利： JP5673555B2 . 2015-02-18

机译：具有用于反射层的EUV光刻技术，用于反射掩模坯料的EUV光刻技术，用于反射掩模的EUV光刻技术，以及具有反射层的衬底的制造方法。
4. MULTISCALE PATTERNING OF A SAMPLE WITH APPARATUS HAVING BOTH THERMO-OPTICAL LITHOGRAPHY CAPABILITY AND THERMAL SCANNING PROBE LITHOGRAPHY CAPABILITY [P] . 美国专利： US2017003602A1 . 2017-01-05

机译：同时具有热光光刻技术和热扫描探针光刻技术的设备的多尺度图案化
5. MULTISCALE PATTERNING OF A SAMPLE WITH APPARATUS HAVING BOTH THERMO-OPTICAL LITHOGRAPHY CAPABILITY AND THERMAL SCANNING PROBE LITHOGRAPHY CAPABILITY [P] . 世界知识产权组织专利： WO2015092570A1 . 2015-06-25

机译：同时具有热光光刻技术和热扫描探针光刻技术的设备的多尺度图案化