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晶片边缘剥落缺陷源头的清除方法

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本申请提供了一种晶片边缘剥落缺陷源头的清除方法。该清除方法包括：步骤S1，对具有晶片边缘剥落缺陷源头的晶片进行热处理，产生剥落缺陷；以及步骤S2，去除剥落缺陷。该清除方法中，步骤S1先对具有晶片边缘剥落缺陷源头的晶片进行热处理，使剥落缺陷源头掉入晶片的内部成为剥落缺陷；晶片内部的剥落缺陷与晶片的结合力较小，使得剥落缺陷的清除变得容易，所以在步骤S2中采用常规的清除方法就可以将掉入晶片内部的剥落缺陷源头清除。该方法较简便且较容易控制，将可能在金属淀积时掉入晶片内部的剥落缺陷源头有效清除，避免了这些剥落缺陷源头在金属淀积时掉入晶片内部成为剥落缺陷。

著录项

公开/公告号CN106158586B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-12

原文格式PDF
申请/专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
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申请/专利号CN201510181032.0
发明设计人方三军;朱瑜杰;陈思安;
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申请日2015-04-16
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人赵囡囡;梁文惠
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 10:30:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-12

授权

授权
2016-12-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150416

实质审查的生效
2016-12-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20150416

实质审查的生效
2016-11-23

公开

公开
2016-11-23

公开

公开

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