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一种肖特基极结构、肖特基二极管及制造方法

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摘要

本申请提供一种肖特基极结构，所述肖特基极结构包括：N型半导体层；第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。利用本申请各实施例所述的肖特基极结构，可以有效提高二极管的反向耐压值，有效提高了二极管的可靠性。

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3. MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE [P] . 日本专利： JP2010028147A . 2010-02-04

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5. Schottky diode including an insulating substrate and a schottky diode unit and method for making the same [P] . 美国专利： US10297696B2 . 2019-05-21

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