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偏置型三阱完全耗尽绝缘体上硅(SOI)结构及其制造和运用的各种方法

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摘要

在一个说明的实施例中，该器件包括形成在绝缘体上硅衬底(30)上方的晶体管(32)，该绝缘体上硅衬底(30)包括基体衬底(30A)、掩埋绝缘层(30B)及有源层(30C)，该基体衬底(30A)被掺杂第一类型掺杂材料并且在该基体衬底(30A)内形成第一阱(50)，该第一阱(50)被掺杂与该第一类型掺杂材料相反类型的第二类型掺杂材料。该器件进一步包括以第一型掺杂材料形成在基体衬底(30A)中的第二阱(52)、在第二阱(52)上有源层(30C)中形成的晶体管(32)、为该第一阱(50)形成的电接触(60)以及为该第二阱(52)所形成的电接触(62)。在一个说明的实施例中，公开了一种在绝缘体上硅衬底(30)上形成晶体管(32)的方法包括，绝缘体上硅衬底(30)包括基体衬底(30A)、掩埋氧化层(30B)以及有源层(30C)，该基体衬底(30A)被掺杂第一类型掺杂材料。本发明的方法包括：使用掺杂材料执行第一离子注入工艺以在该基体衬底(30A)内形成第一阱(50)区域，该掺杂材料是与该第一类型的掺杂材料相反类型的掺杂材料基体；使用与第一类型掺杂材料相同类型的掺杂材料执行第二离子注入工艺，以在该基体衬底(30A)中的第一阱(50)内形成第二阱区域(52)，该晶体管(32)形成在该第二阱(52)上方的有源层(30C)内；对于该第一阱(50)形成电接触(60)以及对于该第二阱(52)形成电接触(62)。该方法还包括形成在基体衬底(30A)中的第一阱(50)内的接触阱(58)，该接触阱(58)包括与第二类型掺杂材料相同类型的掺杂材料，在该第一阱(50)内的接触阱(58)，其掺杂浓度大于该第一阱(50)的掺杂浓度。

著录项

  • 公开/公告号CN100346484C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-10-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 先进微装置公司;

    申请/专利号CN02828613.8

  • 发明设计人 A·C·韦;D·J·瑞斯特;M·B·菲塞利耶;

    申请日2002-12-17

  • 分类号H01L29/786(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人戈泊;程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 授权公告日:20071031 终止日期:20181217 申请日:20021217

    专利权的终止

  • 2010-08-18

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/786 变更前: 变更后: 登记生效日:20100708 申请日:20021217

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-08-18

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/786 变更前: 变更后: 登记生效日:20100708 申请日:20021217

    专利申请权、专利权的转移

  • 2007-10-31

    授权

    授权

  • 2007-10-31

    授权

    授权

  • 2005-08-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-01

    公开

    公开

  • 2005-06-01

    公开

    公开

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