首页> 中国专利> 从亚铁磁稀土过渡金属(RE-TM)合金形成的自旋转移切换磁性元件

从亚铁磁稀土过渡金属(RE-TM)合金形成的自旋转移切换磁性元件

摘要

一种磁性隧道结(MTJ)包括从亚铁磁稀土过渡金属(RE‑TM)合金形成的自由层,该亚铁磁RE‑TM合金具有由RE‑TM合金的稀土(RE)成分的亚晶格力矩主导的净力矩。该MTJ进一步包括从稀土过渡金属(RE‑TM)合金形成的钉扎层,该RE‑TM合金具有由RE‑TM合金的稀土(RE)成分的亚晶格力矩主导的净力矩,该钉扎层包括一个或多个非晶薄插入层以使得自由层和钉扎层的净磁矩很低或接近于零。

著录项

  • 公开/公告号CN106165018B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580019582.0

  • 发明设计人 W-C·陈;X·朱;C·朴;S·H·康;

    申请日2015-03-02

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人周敏

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:41:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-18

    授权

    授权

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20150302

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20150302

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    公开

    公开

  • 2016-11-23

    公开

    公开

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