• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的工艺制造方法

一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的工艺制造方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明提供了一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的工艺制造方法，包括：第一步骤：执行分栅快闪存储器的制造工艺，直到利用逻辑栅极光阻刻蚀逻辑栅极的步骤；第二步骤：对逻辑栅极光阻进行灰化及湿法剥离处理，暂不进行逻辑区栅极硬掩膜湿法去除；第三步骤，继续执行分栅快闪存储器的制造工艺，直到字线刻蚀；第四步骤：湿法去除逻辑栅极硬掩膜；其中，在第二步骤中在湿法剥离处理中可以使用稀氟氢酸。本发明将原来位于逻辑栅刻蚀之后的“湿法去除逻辑硬掩膜”工艺移动到字线刻蚀之后，避免了该湿法刻蚀对字线保护氧化层的影响，改善了字线形貌，减少了编程串扰失效。同时，逻辑栅极光阻湿法去除可以使用稀氟氢酸，避免了光阻残留等缺陷问题。

著录项

  • 公开/公告号CN106803509B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201710079379.3

  • 发明设计人 王卉;曹子贵;陈宏;徐涛;

    申请日2017-02-14

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:47:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-24

    授权

    授权

  • 2017-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11526 申请日:20170214

    实质审查的生效

  • 2017-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11526 申请日:20170214

    实质审查的生效

  • 2017-06-06

    公开

    公开

  • 2017-06-06

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号