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一种用于MEMS器件隔振的双层隔振结构及制备方法

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本发明提供一种用于MEMS器件隔振的双层隔振结构及制备方法，该双层隔振结构自上而下依次包括：第一层隔振系统、第二层隔振系统、硅衬底；MEMS器件焊接于第一层隔振系统的上方；其中，第一层隔振系统包括连接框架、隔振平台以及若干隔振梁；第二层隔振系统包括若干隔振组件，每个隔振组件由依次连接的下焊盘、扭转梁与上焊盘构成。该双层隔振结构的制备方法包括：备片、第一次光刻、硅玻键合、第二次光刻、第三次光刻、金属溅射、通孔引线、第四次光刻、制作衬底绝缘层与金属层、瞬时液相扩散连接十个步骤。本发明通过设置双层隔振系统，弥补了被动补隔振中在高频振动时隔振性能不足的问题；该隔振结构简单无需附加电源，大大降低了器件的功耗。

著录项

公开/公告号CN108609576B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-31

原文格式PDF
申请/专利权人合肥工业大学;
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申请/专利号CN201810311807.5
发明设计人许高斌;杨海洋;马渊明;陈兴;徐枝蕃;
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申请日2018-04-09
分类号
代理机构合肥金安专利事务所(普通合伙企业);
代理人于俊
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
入库时间 2022-08-23 10:47:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-31

授权

授权
2018-10-30

实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20180409

实质审查的生效
2018-10-30

实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20180409

实质审查的生效
2018-10-02

公开

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2018-10-02

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公开
2018-10-02

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