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低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法

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低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法，制备方法包括：对衬底(10)进行退火及表面清洁，并在衬底(10)上依次外延生长n型GaN层(11)、n型AlGaN限制层(12)、非故意掺杂下波导层(13)、InGaN/GaN多量子阱发光层(14)、p型AlGaN电子阻挡层(15)、非故意掺杂上波导层(16)、p型AlGaN限制层(17)和p型欧姆接触层(18)，其中，InGaN/GaN多量子阱发光层(14)包括InGaN阱层和GaN垒层，生长GaN垒层时通入TMIn源，以抑制GaN垒层中V型缺陷的形成，消除InGaN/GaN多量子阱中常见的V型缺陷，从而降低器件反向漏电、减少器件吸收损耗并提高量子阱热稳定性。

著录项

公开/公告号CN109873299B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-21

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201910116788.5
发明设计人杨静;赵德刚;朱建军;陈平;刘宗顺;梁锋;
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申请日2019-02-14
分类号H01S5/343(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周天宇
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 10:51:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-21

授权

授权
2019-07-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/343 申请日:20190214

实质审查的生效
2019-07-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20190214

实质审查的生效
2019-06-11

公开

公开
2019-06-11

公开

公开
2019-06-11

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机译：具有高铟和低铝的量子阱激光器，具有减少陷阱的高阻挡层的高铝和低铟激光器
5. LASERS WITH QUANTUM WELLS HAVING HIGH INDIUM AND LOW ALUMINUM WITH BARRIER LAYERS HAVING HIGH ALUMINUM AND LOW INDIUM WITH REDUCED TRAPS [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012125997A3 . 2013-01-03

机译：具有高铟和低铝的量子阱激光器，带陷阱减少的具有高铝和低铟的阻挡层激光器

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