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具有非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的三栅极晶体管结构

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摘要

讨论了涉及具有MOSFET的集成电路的技术、结合有这样的集成电路的系统、以及用于形成它们的方法，所述MOSFET具有非凹陷的场绝缘体和IC的场绝缘体上方的较薄电极。

1. 具有非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的三栅极晶体管结构 [P] . 中国专利： CN105190898B . 2020.03.17
2. 具有非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的三栅极晶体管结构 [P] . 中国专利： CN105190898A . 2015-12-23
3. Trigate transistor structure with unrecessed field insulator and thinner electrodes over the field insulator [P] . 英国专利： GB2529952B . 2019-12-18

机译：具有无凹陷场绝缘体和场绝缘体上较薄电极的三栅极晶体管结构
4. Trigate transistor structure with unrecessed field insulator and thinner electrodes over the field insulator [P] . 美国专利： US9905693B2 . 2018-02-27

机译：具有无凹陷场绝缘体和场绝缘体上较薄电极的三栅极晶体管结构
5. Trigate transistor structure with unrecessed field insulator and thinner electrodes over the field insulator [P] . 美国专利： US9768249B2 . 2017-09-19

机译：具有无凹陷场绝缘体和场绝缘体上较薄电极的三栅极晶体管结构