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基于FeN的大环内酯类抗生素传感器的制备方法及应用

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本发明公开了一种基于氮化铁的大环内酯类抗生素传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与化学生物传感器技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了氮化铁纳米片阵列，利用其大的比表面积和对氨基的高吸附活性，采用原位生长的方法，相继在氮化铁纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以大环内酯类抗生素分子为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种基于氮化铁的大环内酯类抗生素传感器便制备完成。

著录项

公开/公告号CN109254044B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08

原文格式PDF
申请/专利权人济南大学;
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申请/专利号CN201811306512.5
发明设计人程荣琦;张勇;杜斌;
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申请日2018-11-05
分类号G01N27/26(20060101);G01N27/30(20060101);G01N27/327(20060101);G01N21/76(20060101);
代理机构37240 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业);
代理人高强
地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
入库时间 2022-08-23 11:28:24

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