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基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法。本发明的NS叠层晶体管由两层或数层二维材料的活性层，三层或数层石墨烯或者金属的栅极堆叠共栅组成。本发明的制备方法包括硅/二氧化硅埋栅的制备；硅/二氧化硅衬底上的二维材料的制备；与二维材料不连接的石墨烯或金属电极的制备；二维材料的氧化或者选择性刻蚀和金属电极的选择性刻蚀；与二维材料边缘接触的金属电极以及和金属电极接触的连接电极的制备。本发明提出一种二维材料的新型晶体管结构，不仅解决了硅基晶体管在极小尺度下的短沟道效应问题，而且此类型晶体管可适应5nm以下先进制程工艺，为二维材料在集成电路先进工艺中的应用提供了基础。

著录项

  • 公开/公告号CN111446288B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN202010154718.1

  • 发明设计人 包文中;宗凌逸;万景;邓嘉男;郭晓娇;张卫;

    申请日2020-03-08

  • 分类号H01L29/06(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/34(20060101);

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞;陆尤

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 12:29:23

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