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用于FDSOI的电源轨及MOL构造

摘要

本发明涉及用于FDSOI的电源轨及MOL构造,其提供在平面晶体管的源极/漏极与局部互连或第一金属化层电源轨之间的一种电性连接,包括电性耦合至该源极/漏极的第一接触区,电性耦合至该第一接触区及该晶体管的栅极的第二接触区,以及电性耦合至该局部互连或第一金属化层电源轨的V0。沟槽硅化物不存在于该晶体管中。也提供一种基于接触区的电源轨脊柱,其包括第一接触区,第二接触区,以及在该第一接触区上面且电性耦合至该第一接触区的邻近V0双向卡钉,以及在该第二接触区及该V0双向卡钉上面且电性耦合至该第二接触区及该V0双向卡钉的V0。

著录项

  • 公开/公告号CN108807338B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格芯(美国)集成电路科技有限公司;

    申请/专利号CN201810389800.5

  • 发明设计人 恩拉·密特尔;马布·拉汉德;

    申请日2018-04-27

  • 分类号H01L23/52(20060101);H01L27/088(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 12:52:09

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