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提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法

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摘要

本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法。本发明方法采用了非掺杂势垒层AlxGa1-xN，用AlN作隔离层，并在AlN缓冲层GaN之间插入一层低Al组分y的插入层AlyGa1-yN层，形成AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN结构的HEMT。通过优化势垒层AlxGa1-xN层的厚度、Al组分x的值、AlN层的厚度、插入层AlyGa1-yN的厚度和Al组分y的值，使得在AlN/AlyGa1-yN结之间形成的主二维电子气中的载流子迁移率最大，横向电场降低到一个适度的值。横向电场的降低是通过在AlyGa1-yN/GaN异质结界面形成的次二维电子气对主二维电子气形成屏蔽作用达到。最后获得的器件栅压较大范围内变化时，跨导变化比较小，实现器件的最大特征频率和线性度。

著录项

  • 公开/公告号CN101621004B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN200910100977.X

  • 发明设计人 程知群;周肖鹏;周伟坚;胡莎;

    申请日2009-08-06

  • 分类号H01L21/335(20060101);H01L21/20(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人杜军

  • 地址 310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/335 授权公告日:20101027 终止日期:20180806 申请日:20090806

    专利权的终止

  • 2013-11-06

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/335 变更前: 变更后: 登记生效日:20131018 申请日:20090806

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-11-06

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/335 变更前: 变更后: 登记生效日:20131018 申请日:20090806

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-10-27

    授权

    授权

  • 2010-10-27

    授权

    授权

  • 2010-03-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2010-03-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2010-01-06

    公开

    公开

  • 2010-01-06

    公开

    公开

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