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纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法

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纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法，以(100)晶向的SOI为衬底；采用热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度；旋涂电子束抗蚀剂，以电子束曝光剂量进行电子束直写工艺；以扫描电子显微镜SEM观察结果以确定最优的曝光剂量；根据显影结果，对第一次曝光版图做图形补偿修正；对原始的设计版图进行图形修补，确定最好的修补版图；干法刻蚀将电子束抗蚀剂图形转移到表层硅上，最后湿法去胶。

著录项

公开/公告号CN1884043B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-11

原文格式PDF
申请/专利权人南京大学;
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申请/专利号CN200610088283.5
发明设计人施毅;陈杰智;濮林;郑有炓;龙世兵;刘明;
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申请日2006-07-07
分类号
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司;
代理人汤志武
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号
入库时间 2022-08-23 09:06:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-09-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 授权公告日:20110511 终止日期:20110707 申请日:20060707

专利权的终止
2011-05-11

授权

授权
2007-02-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-12-27

公开

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