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将中子嬗变掺杂横向磁场直拉硅用于半导体器件的方法

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摘要

一种将中子嬗变掺杂横向磁场直拉硅用于大功率半导体器件的方法。将原始硅棒的头、尾各切成厚度为2mm的硅片，使用红外光谱仪检测硅片的氧碳含量及电阻率作为原始辐照参数，用核反应堆对原始硅棒进行中子辐照后，在硅棒上下表面各切成厚度为2mm的硅片，加温至800℃退火，然后检测硅片的氧碳含量和目标电阻率，按大功率器件使用要求，将辐照后的硅棒切成要求规格硅片，进行分档，然后投入半导体器件工艺；在用第一道抄沙工艺进行抄沙后，依照硅片加工工艺，进行Al和Ga的预沉积处理。制作半导体大功率晶闸管工艺流程步骤如下：清洗抄沙→Al、Ga的预沉积处理→主扩→刻磷→磷扩→氧化→刻硼→硼扩散→刻蚀→蒸铝→检测→电子辐照→管芯成品。

著录项

  • 公开/公告号CN101908486B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 刘有;

    申请/专利号CN200910146086.8

  • 发明设计人 刘有;

    申请日2009-06-08

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 066001 河北省秦皇岛市文化路366号银都大厦502室市知识产权协会

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-23

    授权

    授权

  • 2011-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/332 申请日:20090608

    实质审查的生效

  • 2010-12-08

    公开

    公开

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