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中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一

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摘要

评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

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来源
《电力电子》|2003年第6期|29-30,8|共3页
作者
王正元;
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作者单位

北京电力电子新技术研究开发中心;

北京100088;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 PNPN四层结构器件;
关键词
中子嬗变掺杂硅; 无条纹硅; 电力半导体器件; 高电压; 大电流;

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